Datasheet下载- 型号： MRF6S27050HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S27050HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S27050HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S27050HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S27050HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S27050HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S27050HSR3 是由 NXP USA Inc. 生产的射频 (RF) MOSFET 晶体管，广泛应用于高频射频功率放大器领域。该型号的主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：MRF6S27050HSR3 常用于基站、中继站等无线通信设备中的射频功率放大器。它能够在高频率下提供高效的功率输出，确保信号传输的稳定性和可靠性。适用于 4G LTE 和 5G 网络中的宏基站和小基站。 2. 无线电发射设备：在广播电台、对讲机等无线电发射设备中，该晶体管能够提供稳定的射频功率输出，确保信号覆盖范围广且质量高。其高效能和低失真特性使得它成为这些应用的理想选择。 3. 航空航天与国防：在军事通信、雷达系统和其他高性能射频应用中，MRF6S27050HSR3 提供了可靠的功率放大能力。它能够承受恶劣的工作环境，并具备出色的抗干扰性能，确保关键任务系统的正常运行。 4. 工业与科学仪器：在一些需要高功率射频信号源的工业设备（如等离子体发生器）和科学实验装置（如核磁共振成像仪）中，该晶体管可以提供稳定的射频功率输出，满足精密控制和高精度测量的需求。 5. 测试与测量设备：在射频测试仪器中，MRF6S27050HSR3 可以作为功率放大模块，帮助生成所需的射频信号，进行各种射频参数的测试和校准。 总之，MRF6S27050HSR3 凭借其卓越的射频性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效射频功率放大的场景，特别是在通信、航空航天、工业和测试测量等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S27050HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.62GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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