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- 型号： MRF6S24140HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S24140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S24140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S24140HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S24140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S24140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S24140HSR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率范围为 2.4–2.5 GHz，典型输出功率达 140 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 4G/5G基站功率放大器（PA）：尤其适用于2.4 GHz频段的微基站（Small Cell）和分布式天线系统（DAS）中的末级功放； - 无线宽带通信设备：如WiMAX、WLAN（802.11ac/ax）基站及点对点回传系统； - 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、RF加热、MRI射频功放模块等需稳定大功率射频输出的场合； - 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC抗扰度测试系统等。 该器件采用高热效陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/液冷散热，具备优异的增益（≥16 dB）、功率附加效率（PAE ≥ 55% @ 2.45 GHz）及良好的热稳定性和可靠性，适合长期连续运行的通信基础设施应用。 （注：选型时需严格遵循NXP官方数据手册及推荐偏置电路、匹配网络与ESD防护设计。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S24140HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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