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- 型号： MRF6S24140HS
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S24140HS由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S24140HS价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S24140HS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S24140HS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S24140HS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S24140HS 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.4–2.5 GHz 频段设计（典型工作频段：2400–2500 MHz），采用高散热能力的 NI-780S 封装。其主要应用场景包括： • Wi-Fi 无线基础设施：广泛用于 802.11ac/ax（Wi-Fi 5/6）基站、企业级接入点（AP）及分布式天线系统（DAS）中的末级功率放大器（PA），支持高输出功率（典型140 W连续波或脉冲输出）与高效率（>55% 漏极效率），满足高吞吐量和多用户并发需求。 • 工业、科研与医疗（ISM）频段设备：适用于 2.4 GHz ISM 频段的射频加热、等离子体发生器、MRI 射频功放模块等需稳定大功率射频源的场景。 • 小型蜂窝与5G前传辅助系统：在Sub-6 GHz 5G微基站中，可作为2.4 GHz频段的辅助射频链路或测试信号源放大器（非主通信频段，但用于共址干扰管理、信道探测等）。 该器件具备高增益（典型16 dB）、优异的热稳定性和坚固的VSWR耐受能力（≥10:1），适合宽带连续波或OFDM调制信号（如256-QAM）应用，但需配合匹配网络与高效散热设计（推荐强制风冷或水冷）。不适用于低于2 GHz或高于2.7 GHz的主用频段。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S24140HS |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.39GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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