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- 型号： MRF6S21100NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S21100NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S21100NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S21100NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S21100NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S21100NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S21100NR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段设计（典型工作频段：2110–2170 MHz），常用于4G LTE基站的宏蜂窝/微蜂窝功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括： - 移动通信基站：作为LTE FDD/TDD宏基站或分布式基站（BBU+RRU架构）中末级功率放大器的核心器件，支持高线性度、高效率（典型PAE > 55% @ 2.14 GHz, 100 W P3dB）和宽瞬时带宽，满足ACLR与EVM等严苛通信标准。 - 小基站与有源天线单元（AAU）：适用于中功率场景（如20–50 W平均输出），配合DPD（数字预失真）技术实现高谱效与低功耗。 - 无线基础设施测试设备：在射频信号发生器、信道仿真仪及基站一致性测试系统中用作高可靠性功率输出级。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），具备优异热稳定性与可靠性（MTTF > 100万小时），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz LTE 64-QAM）工作，广泛应用于全球主流通信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频解决方案中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S21100NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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