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- 型号： MRF6S19120HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19120HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19120HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19120HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19120HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19120HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19120HSR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，属“晶体管 - FET，MOSFET - 射频”类别，专为宽带、高效率射频功率放大设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站发射系统：主要用于 1805–1990 MHz 频段（覆盖 B3/B8/B34/B39 等 LTE/FDD/TDD 及 5G Sub-6 GHz 频段），适用于宏基站、微基站的末级功率放大器（PA），支持高达 120 W 连续波（CW）或 60 W 平均功率（在 1960 MHz、20 MHz LTE 信号下），具备高增益（≥17 dB）与高漏极效率（约 65%）。 - 无线通信基础设施：适配多载波 GSM、WCDMA、LTE 和 5G NR 基站，支持复杂调制信号（如 256-QAM），具备优异线性度和ACLR性能，满足严苛的通信标准要求。 - 广播与专业无线系统：可用于数字电视（DTMB）、公共安全通信（如 TETRA、P25）及点对点微波中继的射频功放模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成源极键合焊盘与优化热设计，支持风冷/散热器安装；内置ESD保护，可靠性高，符合工业级温度范围（–40°C 至 +150°C）。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级使用，常用于多级PA架构中作为输出级核心器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19120HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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