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- 型号： MRF6S19120HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S19120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S19120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S19120HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S19120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S19120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S19120HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为蜂窝基站和无线基础设施设计。其典型应用场景包括： - 宏基站功率放大器（PA）：工作于 1805–1990 MHz 频段（如 B3/B4/B25 等 LTE/FDD/TDD 频段），支持多载波 GSM、WCDMA、LTE 及 5G NR（Sub-1.9 GHz）信号放大，具备高输出功率（120 W P3dB）、高增益（≥17 dB）和高效率（>65% 漏极效率）。 - 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：适用于紧凑型、高可靠性射频前端模块，满足严苛的线性度（ACLR ≤ –45 dBc）和热稳定性要求。 - 宽带直放站与中继器：在室内分布系统（DAS）或农村覆盖场景中，用于上行/下行链路功率增强。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），支持强制风冷或液冷散热，符合基站长期连续运行（24/7）及高可靠性（MTTF > 100万小时）标准。不适用于消费类或低功耗应用（如Wi-Fi、蓝牙），亦非通用开关或音频放大用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 19W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S19120HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 19W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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