Datasheet下载- 型号： MRF6S18140HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18140HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18140HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 和 1930–1990 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝/微蜂窝功率放大器。其主要应用场景包括：4G LTE 和 5G NR 基站的末级射频功率放大（PA），尤其适用于 FDD/TDD 模式下的多载波（MC-OFDMA）信号放大；支持高输出功率（典型连续波输出达 140 W，脉冲模式更高）、高增益（约 17 dB）和高漏极效率（>65% @ P3dB），满足基站对线性度、效率与热稳定性的严苛要求；广泛用于无线基础设施设备商（如爱立信、诺基亚、中兴等）的分布式基站（BBU+RRU）和有源天线单元（AAU）中；亦可用于宽带无线接入（WiMAX）、公共安全通信系统及测试仪器中的射频激励源模块。该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热能力与可靠性，符合 RoHS 标准，适用于工业级温度范围（–40°C 至 +150°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S18140HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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