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  • 型号: PUMB15,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PUMB15,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMB15,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMB15,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PUMB15,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMB15,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PUMB15,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内含两个独立的 NPN 晶体管,每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 2.2 kΩ,R₂ = 47 kΩ),实现内置偏置,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括:

- 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO端口驱动LED、小型继电器或光耦输入级,简化电路设计并提升响应速度;  
- 开关电源中的辅助控制电路:用于反馈信号调理、使能/关断信号放大或PWM信号缓冲;  
- 消费电子与家电控制板:在智能插座、小家电(如风扇、照明控制器)中驱动指示灯、蜂鸣器或小功率负载;  
- 工业I/O模块:作为隔离输入级的前端信号调理器件,提高抗干扰能力与系统可靠性;  
- 电池供电设备:得益于低静态电流(典型IC≈0.1 mA @ VCC=5V)和SOT-363(SC-70-6)微型封装,适合空间与功耗敏感应用。

该器件具备ESD防护(HBM > 4 kV)、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及AEC-Q101兼容性(部分批次),亦可用于汽车电子非安全相关子系统(如车身控制模块的灯光检测电路)。注意:不适用于线性放大或高频率(>100 MHz)场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSSOP开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PUMB15,115-

数据手册

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产品型号

PUMB15,115

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

150mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 10mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

934057884115
PUMB15 T/R
PUMB15 T/R-ND

典型电阻器比率

1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363-6

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

1µA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

4.7k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

零件号别名

PUMB15 T/R

频率-跃迁

-

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