Datasheet下载- 型号： MRF6S18140HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18140HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18140HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18140HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18140HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18140HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18140HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段设计（典型工作频段：1805–1880 MHz 及 1930–1990 MHz），主要用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝/微蜂窝功率放大器。其典型应用场景包括：4G LTE 和 5G NR（Sub-6 GHz）基站的末级射频功率放大器（PA），尤其适用于 TDD/FDD 模式下的多载波、高效率发射链路；支持高输出功率（典型 P3dB 达 140 W）、高增益（>16 dB）和高漏极效率（>55% @ 1880 MHz），满足严苛的ACLR与EVM指标要求；广泛应用于大规模MIMO有源天线单元（AAU）、分布式基站（BBU+RRU架构）及小型基站（Small Cell）的射频功放模块。该器件采用陶瓷封装（NI-780H-4L），具备优异热稳定性和可靠性，适配工业级温度范围（–40°C 至 +150°C），支持连续波（CW）及复杂调制信号（如 OFDM、256-QAM）的高线性度放大。不适用于消费类终端或低功率应用（如手机、Wi-Fi模组）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V ESD NI880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S18140HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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