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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF6S18100NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S18100NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S18100NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S18100NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S18100NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S18100NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S18100NBR1 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原始设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其官方制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频LDMOS MOSFET，工作频率范围为1.8–2.0 GHz，典型输出功率达100 W（连续波），适用于宽带、高效率射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 4G LTE 与5G Sub-6 GHz 基站功率放大器（PA）：尤其适用于1800–2000 MHz频段的宏基站和微基站末级功放，支持高线性度调制（如256-QAM），配合DPD（数字预失真）技术可满足ACLR与EVM严苛指标。 - 无线通信基础设施：如分布式天线系统（DAS）、小基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频功放模块。 - 工业与广播应用：部分ISM频段（如1900 MHz）的射频加热、等离子体发生器及专业无线音频传输设备的中高功率放大环节。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780），具备优异热稳定性与功率密度，支持高增益（典型16 dB）、高漏极效率（约65% @ 1.96 GHz），适配50 Ω系统设计，常搭配匹配网络与散热底板使用。需注意：实际应用中须严格遵循NXP原厂推荐的偏置条件（如Vds=28 V，Idq≈1.2 A）、PCB布局及热管理规范，以确保可靠性与长期性能。 （注：建议用户核实器件来源，优先参考NXP官方数据手册DS-MRF6S18100NR1以保障设计合规性。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 100W TO2724 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S18100NBR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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