【未分类_MRF5S9070MR1】封装/厂家_MRF5S9070MR1中文资料_价格

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型号： MRF5S9070MR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9070MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9070MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9070MR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S9070MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S9070MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF5S9070MR1 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET 类别，特别针对射频 (RF) 应用设计。以下是该型号的主要应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - MRF5S9070MR1 专为高频和高功率应用设计，广泛用于射频功率放大器中。这类放大器在无线通信系统中起关键作用，能够提高信号强度以覆盖更远的距离。
   - 典型应用包括基站、无线电广播设备以及军事通信系统。

 2. 无线通信基础设施
   - 在蜂窝网络基站中，该器件可用于增强信号传输能力，支持 LTE、5G 等现代通信标准。
   - 它能够处理高频率范围内的信号，并保持较低的失真率，确保高质量的数据传输。

 3. 航空与国防领域
   - 该 MOSFET 可应用于雷达系统、卫星通信和导航设备中，因其具备出色的射频性能和可靠性。
   - 在航空航天环境中，其高效率和耐高温特性使其成为理想选择。

 4. 工业加热及等离子体生成
   - 利用其高效的能量转换能力，MRF5S9070MR1 可用于工业领域的射频加热或等离子体激发装置，例如材料焊接、热处理或半导体制造中的等离子刻蚀工艺。

 5. 测试与测量设备
   - 在高端测试仪器中，如频谱分析仪或信号发生器，该晶体管可提供精确的射频信号控制，满足严格的测试需求。

 6. 广播电视发射机
   - 用于电视和广播信号的传输，特别是在 VHF 和 UHF 频段内，该器件能有效放大信号并减少干扰。

 总结
MRF5S9070MR1 凭借其卓越的射频性能、高功率处理能力和稳定性，适用于多种需要高效射频信号处理的应用场景。无论是商业通信还是特殊用途的国防技术，这款晶体管都能提供可靠的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 26V 70W TO-270-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S9070MR1
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270-2
功率-输出	14W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.8dB
封装/外壳	TO-270-2
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	26V
电压-额定	68V
电流-测试	600mA
频率	880MHz
额定电流	10µA