【未分类_MRF5S21150HR3】封装/厂家_MRF5S21150HR3中文资料_价格

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型号： MRF5S21150HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21150HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21150HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21150HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF5S21150HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21150HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF5S21150HR3 是飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor，现属NXP）推出的高性能射频LDMOS MOSFET功率晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段设计，典型用于W-CDMA、LTE基站的宏蜂窝/微蜂窝功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括：  
1. 4G/LTE无线通信基站：作为末级功放（Final PA），支持2.11–2.17 GHz频段（如B1/B4频段），满足高线性度、高效率（典型PAE > 55% @ 2.14 GHz）、大输出功率（150 W连续波或峰值包络功率）需求；  
2. W-CDMA基站发射链路：适用于多载波信号（如4×MC-WCDMA），具备优异的ACPR（邻道功率比）性能（<-37 dBc），保障频谱纯净度与系统合规性；  
3. 广播与专用无线系统：在部分宽带射频激励器、点对点微波中继或公共安全通信设备中用作高可靠性射频功率源；  
4. 工业/医疗射频加热源（次要应用）：在2.1 GHz附近特定频点的非通信类固态射频能量发生器中亦有使用。  

该器件采用陶瓷封装（NI-780H），支持风冷/液冷散热，需配合匹配网络与偏置电路使用，强调热稳定性与长期可靠性，广泛应用于电信设备制造商（如爱立信、诺基亚）的基站射频子系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF5S21150HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	33W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	12.5dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.3A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA