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- 型号： MRF5S21130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21130HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 宏基站（Macro Base Station）末级功放：支持高达130 W连续波（CW）输出，在2.14 GHz下提供约18 dB增益与65%漏极效率，满足高线性度与高效率要求； - 多载波WCDMA/LTE通信系统：具备优异的ACPR（邻道功率比）性能，配合DPD（数字预失真）技术可有效抑制带外干扰，保障信号质量； - 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：采用陶瓷封装（NI-780H），热阻低、可靠性高，适用于紧凑型、高散热要求的室外设备； - 工业/科研射频源：在2–2.2 GHz频段内可用作宽带射频信号发生、EMC测试或等离子体激励等中高功率射频源。 该器件需配合匹配电路、稳定偏置（推荐Class AB工作模式）及高效散热设计使用，不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21130HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.2A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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