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- 型号： MRF5S21100HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21100HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21100HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能 LDMOS 射频功率晶体管，专为 2.1 GHz 频段（如 PCS/UMTS/WCDMA/IMT-2000）设计。其典型应用场景包括： • 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（RRU）的末级射频功放模块，支持连续波（CW）或复杂调制信号（如 WCDMA、LTE），输出功率达 100 W（P1dB），具备高增益（≥17 dB）与高效率（典型漏极效率约 60%）。 • 无线通信基础设施：适用于 2110–2170 MHz 上行/下行频段，满足 3G/4G 多载波系统对线性度、ACPR 和热稳定性的严苛要求；内置ESD保护及优化的封装（NI-780H-4L）支持高可靠性散热设计。 • 工业与专用通信设备：如小型化微基站、直放站、中继器及宽带无线接入系统（WiMAX 曾用频段兼容），亦可用于雷达测试源或射频能量发生器等中功率射频激励场景。 该器件需配合匹配网络、偏置电路及高效散热结构使用，典型应用需遵循NXP官方参考设计（如 AN1955）以确保稳定性与性能。不适用于低频、开关电源或数字逻辑控制等非射频功率放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21100HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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