Datasheet下载- 型号： MRF5S21045MR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S21045MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S21045MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S21045MR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S21045MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S21045MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF5S21045MR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 2.1–2.2 GHz 频段（如 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站）的宏蜂窝基站功率放大器（PA）中。其典型应用场景包括： - 4G LTE 和 3G WCDMA 宏基站发射链路：作为末级功放（Final PA），支持高达 45 W 连续波（CW）或 45 W 平均输出功率（在 2.14 GHz、20 MHz 信号带宽下，采用 DPD 技术可实现约 15–18 W 平均输出），满足高线性度与高效率要求； - 多载波宽带通信系统：具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能（典型值优于 –65 dBc @ 5 MHz offset），适用于多载波WCDMA/LTE信号放大； - 工业与基础设施射频应用：如小型无线接入网（Small Cell）的增强型远端射频单元（RRU）、公共安全通信系统及测试仪器中的激励级/驱动级放大。 该器件采用气腔陶瓷封装（MR1），具备良好的热稳定性与可靠性，支持连续波和脉冲工作模式，配合NXP推荐的匹配电路与数字预失真（DPD）技术，可显著提升系统能效与频谱纯度。不适用于消费类便携设备或低功率手持终端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF5S21045MR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.5dB |
| 封装/外壳 | TO-270-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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