Datasheet下载- 型号： MRF19125R3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19125R3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19125R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19125R3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19125R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19125R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF19125R3 是一款射频功率 MOSFET 晶体管，属于 N 沟道增强型 LDMOS 器件，广泛应用于高频、高功率射频放大场景。其典型工作频率范围覆盖 HF 至 VHF 频段（可达数百 MHz），具备高增益、高效率和良好的热稳定性。 该器件主要适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频功率放大，如 13.56 MHz、27.12 MHz 和 40.68 MHz 等国际通用频段。常见应用场景包括射频能量系统，如感应加热、等离子发生、介质加热和射频激励光源等工业加热与能量传输设备。此外，MRF19125R3 也用于高可靠性广播发射机中的音频或射频放大模块，支持 AM 和 FM 广播系统的信号放大需求。 由于其出色的耐用性和在高驻波比（VSWR）条件下的稳健性能，该器件还适用于需要高可靠性的军用通信和地面基站设备。MRF19125R3 采用坚固的封装设计，便于散热，适合长时间连续工作，是中等功率射频应用中的理想选择。 总之，MRF19125R3 主要用于工业加热、广播发射、ISM 射频能量应用及部分通信基础设施，适用于需要高效、稳定射频功率输出的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19125R3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 24V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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