Datasheet下载- 型号： MRF19125R3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19125R3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19125R3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19125R3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19125R3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19125R3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19125R3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为高效率、高功率的UHF频段（典型工作频率：470–862 MHz）应用设计。其主要应用场景包括： - 数字电视广播发射机：广泛用于地面数字电视（DTMB、DVB-T/T2）单频网（SFN）和多频网（MFN）中的末级功率放大器，支持高线性度与高效率输出（典型输出功率达125 W连续波或更高峰值功率）。 - 无线通信基础设施：适用于专业无线通信系统，如PMR（专业移动无线电）、TETRA基站及宽带中继设备中的射频功放模块。 - ISM频段工业应用：在433 MHz、868 MHz等免许可ISM频段，用于RFID读写器、工业加热、等离子体发生器等需要稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（如SOT-1229），具备优异的热稳定性、高增益（典型>18 dB）、高漏极效率（>65%）及良好的VSWR耐受能力，支持AB类或高效线性调制模式（如OFDM、64-QAM），满足严苛的频谱掩模与ACLR要求。配合NXP推荐的匹配电路与驱动方案，可实现紧凑、高可靠性的射频功率放大设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19125R3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 24V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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