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- 型号： MRF19030LR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF19030LR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF19030LR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF19030LR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF19030LR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF19030LR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF19030LR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS MOSFET），专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.2 GHz（支持 L/S 波段），输出功率可达 30 W（连续波，CW），具备高增益（典型值 >16 dB）、高效率（典型漏极效率约 65%）及优异的热稳定性。 主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站：用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站或微基站的末级功率放大器（PA），尤其适用于 2.1 GHz 频段（如 B1/B34/B39）； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频功放模块； - 工业与民用射频系统：如宽带中继器、公共安全通信（TETRA、P25）及ISM频段（如2.4 GHz）高可靠性发射设备； - 测试与测量仪器：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试等场景。 该器件采用无铅、RoHS 合规的 TO-270WB-4 封装，内置ESD保护，支持高可靠性贴片安装，并适配NXP推荐的匹配电路与散热方案，便于快速集成至多层PCB射频前端设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF19030LR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | NI-400 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 1.96GHz |
| 额定电流 | 1µA |
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