【未分类_MRF18060BLSR3】封装/厂家_MRF18060BLSR3中文资料_价格

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型号： MRF18060BLSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF18060BLSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF18060BLSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF18060BLSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF18060BLSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF18060BLSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF18060BLSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）双通道 LDMOS 功率晶体管阵列（非标准逻辑/电源 MOSFET 阵列，而是专为射频功率放大设计的集成双路 LDMOS 晶体管），采用无铅 SO-8 封装（R3 后缀表示卷带包装）。其典型工作频率为 1.8–2.7 GHz，输出功率高达 60 W（脉冲或连续波），具有高增益、高效率和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 5G Sub-6 GHz 基站功率放大器：适用于大规模 MIMO 和小型基站（Small Cell）中的末级功放（PA），支持 TDD/FDD 架构；  
✅ 宽带无线接入系统：如 WiMAX、LTE-Advanced 和 5G NR 中频段（Band 1/3/7/38/41/42/48）的发射链路；  
✅ 工业与专用通信设备：如公共安全无线电、军事通信、无人机数据链及雷达激励级放大；  
✅ 测试与测量仪器：作为信号源或功率模块中的宽带驱动/输出级。

需注意：该器件为射频功率器件，需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计（建议使用金属基板或热沉），不适用于数字开关、DC-DC 或低频功率控制等通用MOSFET场景。其“阵列”特性指单封装内集成两个独立LDMOS管芯，便于构建推挽、Doherty或双路分集放大结构，提升系统集成度与一致性。

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