Datasheet下载- 型号： MR2A08AYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR2A08AYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR2A08AYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR2A08AYS35R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR2A08AYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR2A08AYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MR2A08AYS35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 4Mb（512K × 8）垂直磁各向异性（PMA）自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM），采用35ns高速异步SRAM兼容接口，封装为44-pin TSOP II（符合JEDEC标准），工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级）。 其主要应用场景包括： 1. 工业自动化与PLC：作为非易失性缓存或数据日志存储，在断电瞬间无数据丢失，替代电池备份SRAM或EEPROM，提升系统可靠性与免维护性； 2. 网络通信设备：用于路由器、交换机中的控制平面配置存储或状态寄存器备份，满足高写入耐久性（>10¹⁵次）与纳秒级读写响应需求； 3. 航空航天与国防电子：凭借抗辐射、宽温、高可靠性特性，适用于飞行控制、雷达信号处理等关键任务系统的实时数据暂存与配置保存； 4. 医疗设备：在便携式监护仪、影像设备中用于保存校准参数、运行日志及紧急断电前的患者数据，确保数据完整性与合规性（如IEC 62304）； 5. 汽车电子（车载信息娱乐/ADAS）：支持AEC-Q100 Grade 2认证版本（注：MR2A08AYS35R本身为工业级，但同系列有车规型号），用于黑匣子记录、ECU配置存储等需长期数据保持的场景。 该器件兼具SRAM的高速读写性能与Flash/EEPROM的非易失性优势，无需写入延时或擦除操作，特别适用于对数据安全性、实时性与寿命要求严苛的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR2A08AYS35R |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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