Datasheet下载- 型号： MR0A08BYS35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR0A08BYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR0A08BYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR0A08BYS35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR0A08BYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR0A08BYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc. 的 MR0A08BYS35 是一款基于自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术的8Mbit（256K × 32）非易失性存储器。其主要应用场景包括工业自动化、嵌入式系统、网络通信设备以及高可靠性要求的数据存储领域。 该型号具备高速读写（访问时间低至35ns）、无限次写入耐久性及断电后数据持久保存的特性，适用于需要频繁写入且不允许数据丢失的关键任务环境。例如，在工业PLC（可编程逻辑控制器）中，可用于实时记录运行参数和故障日志；在通信基站或路由器中，可作为高速缓存替代传统SRAM+电池方案，提升系统可靠性并降低维护成本。 此外，MR0A08BYS35 还广泛应用于航空航天、国防电子等对温度范围和抗辐射能力有较高要求的场景。其工作温度支持工业级（-40°C 至 +105°C），能够在恶劣环境中稳定运行。由于无需备用电池即可实现非易失性，该器件有助于简化电路设计、减少系统体积和功耗。 总之，MR0A08BYS35 凭借其高速、高耐久、非易失等优势，特别适合用于替代传统SRAM、Flash或FRAM，在需要高性能与高可靠性的存储应用中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MRAM 1MBIT 35NS 44TSOPNVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Everspin Technologies MR0A08BYS35- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MR0A08BYS35 |
| PCN组件/产地 | |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 其它名称 | 819-1002 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Everspin Technologies |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工作电流 | 55 mA |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 系列 | MR0A08B |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |
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