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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MPLAD15KP8.0CA
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MPLAD15KP8.0CA由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPLAD15KP8.0CA价格参考。MICRO-SEMIMPLAD15KP8.0CA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MPLAD15KP8.0CA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MPLAD15KP8.0CA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPLAD15KP8.0CA 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的高功率双向TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于MPLAD系列，专为极端浪涌防护设计。其核心参数包括：反向关断电压VWM = 8.0 V，击穿电压VBR ≈ 8.89 V（min），峰值脉冲功率高达15 kW（10/1000 μs波形），响应时间小于1 ns。 典型应用场景包括： - 工业控制系统：保护PLC输入/输出端口、现场总线（如RS-485、CAN）接口免受雷击感应浪涌或开关噪声冲击； - 电源系统：用于DC输入端（如24 V工业电源、PoE供电前端）的过压钳位，防止因负载突变或反向EMF导致的瞬态损坏； - 通信设备：在基站电源、光模块供电线路中提供一级或二级ESD与EFT联合防护； - 交通运输电子：适用于车载信息娱乐系统、列车控制单元等需满足ISO 7637-2/IEC 61000-4-5严苛浪涌标准（如±1 kV/500 A）的场合； - 可再生能源：光伏逆变器直流侧或风电机组控制电路中，抑制雷电耦合浪涌。 该器件采用DO-214AB（SMC）封装，具备低钳位电压（VC ≈ 13.6 V @ 1075 A）、高可靠性及AEC-Q200兼容性（部分批次），适合高温、高湿、强电磁干扰的严苛环境。需配合合理PCB布局（短路径、大铜箔、就近接地）以发挥最佳防护效能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 8VWM 13.6VC PLAD |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/9522-mplad15kp |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MPLAD15KP8.0CA |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | PLAD |
| 其它名称 | 1086-7318 |
| 功率-峰值脉冲 | 15000W （15kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 非标准型 SMD |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 8.89V |
| 电压-反向关态（典型值） | 8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1101A （1.101kA） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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