图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2214LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2214LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2214LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMUN2214LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMUN2214LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2214LT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极晶体管(BRT),内置基极-发射极和基极-电阻(R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),采用SOT-23封装,具有小尺寸、高可靠性及简化电路设计优势。 典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:用于微控制器(如STM32、PIC)I/O口驱动LED、小型继电器或光耦输入端,无需外接偏置电阻,节省PCB空间并提升一致性; 2. 开关控制电路:在消费电子(如打印机、机顶盒、智能家电)中作为低功耗负载开关,控制指示灯、蜂鸣器或小功率MOSFET栅极; 3. 传感器信号调理:配合光电传感器、霍尔开关等数字输出型传感器,实现信号整形与电流放大; 4. 电池供电设备:得益于低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.25V @ IC=10mA)和较小静态电流,适用于便携式设备中的省电开关应用; 5. 替代传统分立BJT+电阻方案:在成本敏感、空间受限的量产产品中,可减少元件数量、降低贴片成本与BOM管理复杂度。 注意:该器件不适用于线性放大或高频模拟应用(fT约250MHz,但未优化为放大器),且最大集电极电流仅100mA,仅适合中小电流开关场景。使用时需确保输入电压兼容逻辑电平(典型VIN = 0–5V),并注意ESD防护(HBM ±4kV)。