Datasheet下载- 型号： MMUN2134LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2134LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2134LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2134LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2134LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2134LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2134LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-23小尺寸封装。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、Arduino）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外接偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。 - 开关控制电路：适用于低功耗、中速开关应用（fₜ≈250MHz），如电源使能（EN）信号控制、负载开关、传感器信号调理中的有源开关等。 - 工业与消费类电子：广泛用于打印机、家电（如洗衣机水位检测电路）、IoT终端设备中的信号缓冲与反相开关功能。 - 替代传统三极管+分立电阻方案：显著减少元件数量、贴片工位及BOM成本，提高生产良率和一致性，尤其适合空间受限的便携式设备。 该器件具有±5%电阻精度、高直流电流增益（hFE=30–150）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.25V @ IC=10mA），支持-55℃~+150℃工作温度范围，具备良好的ESD防护能力（HBM ≥ 4kV），适用于对可靠性与集成度要求较高的中低端开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2134LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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