【未分类_MMUN2131LT1G】封装/厂家_MMUN2131LT1G中文资料_价格

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型号： MMUN2131LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2131LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2131LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2131LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMUN2131LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2131LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMUN2131LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它适用于多种电子电路设计场景，主要功能包括信号放大、开关控制以及电流调节等。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 音频信号放大
   - MMUN2131LT1G 可用于低功率音频放大器中，作为前置放大级或驱动级晶体管。其预偏置特性能够简化电路设计，减少外部偏置元件的需求，从而降低复杂性和成本。
   - 适合小型扬声器驱动、耳机放大器或其他需要高保真度的小信号放大场合。

 2. 开关电路
   - 在需要快速开关的场景中，这款晶体管可以充当电子开关，用于控制 LED、继电器或其他低功耗负载。
   - 常见于消费电子产品中的电源管理模块，例如手机充电指示灯控制、家电状态显示等。

 3. 传感器信号调理
   - 该晶体管可用于传感器信号的放大和处理，特别是在微弱信号放大的场合。例如，压力传感器、温度传感器或光电二极管输出信号的初步放大。
   - 预偏置设计有助于确保稳定的增益性能，即使在环境条件变化时也能保持良好的工作状态。

 4. 通信设备中的小信号处理
   - 在无线通信或有线通信设备中，MMUN2131LT1G 可以用作射频（RF）或中频（IF）信号的缓冲放大器，帮助提高信号强度并减少失真。
   - 其低噪声特性和稳定的工作点使其成为此类应用的理想选择。

 5. 工业自动化与控制
   - 在工业控制系统中，该晶体管可以用作信号隔离或驱动小型执行器（如步进电机的驱动级）。预偏置功能简化了对复杂反馈网络的需求，提高了系统的可靠性和效率。

 6. 便携式设备中的电池管理
   - 在便携式设备（如手持设备、可穿戴设备）中，这款晶体管可用于电池电量监测电路或低功耗模式下的开关控制。
   - 它的小封装尺寸和高效性能非常适合空间受限的应用场景。

总结来说，MMUN2131LT1G 的预偏置特性使其特别适合需要简单、稳定且低成本解决方案的场合。无论是消费电子、通信设备还是工业控制领域，这款晶体管都能提供可靠的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMUN2131LT1G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 5mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	8 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	246mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	PNP - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	2.2k
电阻器-基底(R1)(Ω)	2.2k
频率-跃迁	-