Datasheet下载- 型号： MMUN2113LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2113LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2113LT1价格参考。ON SemiconductorMMUN2113LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMUN2113LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2113LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2113LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），属于数字晶体管（Digital Transistor, DTR）系列。其主要应用场景包括： 1. 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如STM32、Arduino）IO口驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外接偏置电阻，简化PCB设计，提高可靠性。 2. 低功耗开关应用：适用于便携式设备（如无线传感器节点、遥控器、可穿戴设备）中的负载开关，支持3.3V/5V TTL/CMOS电平直接驱动，饱和导通压降低（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA），功耗小。 3. 电平转换与反相缓冲：可实现1:1反相开关功能（输入高→输出低），用于I²C上拉、复位电路或简单逻辑整形。 4. 工业与消费类电子：广泛用于打印机、家电控制板、电源管理模块中作为状态指示驱动或使能控制开关。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低、一致性好，特别适合空间受限、需减少外围元件数量的设计。注意其最大集电极电流为100mA（连续），不适用于大功率或高频（fT≈250MHz，但开关速度中等）场景；高温或高可靠性要求场合建议降额使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMUN2113LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2113LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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