【未分类_MMSZ5256BT3G】封装/厂家_MMSZ5256BT3G中文资料_价格

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型号： MMSZ5256BT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5256BT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5256BT3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5256BT3G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMSZ5256BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5256BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ5256BT3G 是安森美（onsemi）生产的表面贴装型齐纳二极管，标称稳压值为39 V（容差±5%），额定功率为500 mW，采用SOD-123封装。其典型应用场景包括：

1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置等提供稳定39 V基准电压；  
2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端的钳位保护，防止后级电路（如MCU、LDO）遭受瞬态高压冲击；  
3. 反馈回路中的稳压元件：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈网络中，辅助设定输出电压阈值；  
4. 电平转换与箝位：在信号调理电路中，将脉冲或交流信号峰值限制在39 V以内，保护敏感器件；  
5. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组（如12S锂电，满电约49.2 V）的单节或分段电压监测参考点。

该器件具有低动态阻抗（≈120 Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.07 %/°C）及AEC-Q200认证（车规级），适用于工业控制、汽车电子（如车身模块、照明驱动）、通信电源及消费类充电器等对可靠性要求较高的场景。需注意合理设计限流电阻以确保工作电流在5–20 mA最佳稳压区间内，并留足功率余量。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMSZ5256BT3G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	100nA @ 23V
供应商器件封装	SOD-123
功率-最大值	500mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
容差	±5%
封装/外壳	SOD-123
工作温度	-55°C ~ 150°C
标准包装	10,000
电压-齐纳（标称值）(Vz)	30V
阻抗（最大值）(Zzt)	49 欧姆