Datasheet下载- 型号： MMSZ5230BT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5230BT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5230BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5230BT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5230BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5230BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMSZ5230BT1G是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别，广泛应用于需要稳定参考电压和过压保护的电路中。该器件具有2.5V的标称齐纳电压和200mW的功率耗散能力，采用SOD-123封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 电压参考：在电源管理电路、ADC/DAC模块或传感器信号调理电路中，为系统提供稳定的基准电压。 2. 过压保护：用于保护敏感电子元件（如微控制器、逻辑IC）免受瞬态电压或静电放电（ESD）损害，常与TVS二极管配合使用。 3. 电平钳位：在数字和模拟接口电路（如I²C、UART）中限制信号电压范围，防止输入电压超出安全工作区。 4. 消费类电子产品：广泛应用于手机、平板、可穿戴设备等低功耗设备中的稳压与保护电路。 5. 工业控制与通信设备：用于小信号电路中的电压稳定，提升系统可靠性。 MMSZ5230BT1G符合RoHS标准，且为无铅产品（后缀“G”表示环保型号），适用于对环保要求较高的现代电子制造。由于其响应速度快、稳定性高，特别适合在噪声环境较复杂的电路中使用。总体而言，该器件是实现小型化、高可靠电压控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123稳压二极管 4.7V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5230BT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5230BT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5230BT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 19 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ52 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 19 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.7 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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