Datasheet下载- 型号： MMSZ5221ET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5221ET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5221ET1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5221ET1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ5221ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5221ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5221ET1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为2.4 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为350 mW，采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 低电压基准源：为传感器、ADC/DAC、电源监控电路等提供稳定、低成本的2.4 V参考电压； 2. 过压保护与钳位：在I/O端口或信号线上用作瞬态电压抑制（TVS辅助钳位），限制电压不超过2.4 V，防止后级芯片（如MCU GPIO）损坏； 3. 电源轨稳压/旁路：在低功耗、小电流场合（如电池供电设备）中，为微控制器复位电路、LDO使能引脚或模拟前端提供简单稳压； 4. 电平转换与偏置：配合电阻构成简易分压/偏置网络，用于运算放大器输入偏置、LED恒流驱动反馈节点等； 5. 消费电子与便携设备：广泛应用于智能手机配件、可穿戴设备、IoT传感器节点等对尺寸、成本和功耗敏感的场景。 该器件具有良好的温度稳定性（TC ≈ ±0.075%/°C）、低动态阻抗（≈30 Ω @ IZ = 20 mA）及AEC-Q200兼容版本（部分批次），亦适用于车规级辅助电路（如车身控制模块中的非关键信号调理）。需注意：仅适用于≤20 mA的稳压电流，不适用于大电流或高精度应用，精密场景建议选用带隙基准。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ5221ET1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 2.4V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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