Datasheet下载- 型号： MMSZ4706T1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4706T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4706T1价格参考。ON SemiconductorMMSZ4706T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ4706T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ4706T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4706T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为39 V（典型值），容差±5%，功率额定值为500 mW（在规定散热条件下），采用SOD-123封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为模拟电路、ADC/DAC、传感器信号调理等提供稳定、低成本的39 V基准电压源； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，用于电源输入端或敏感IC供电轨的钳位保护，防止瞬态高压（如浪涌、ESD）损坏后级电路； 3. 稳压电源辅助电路：在低压线性稳压器（如78Lxx）或开关电源反馈环路中，作为分压/检测/补偿元件，实现简单稳压或阈值设定； 4. 电平转换与箝位：在接口电路（如RS-232、工业I/O）中，将信号峰值限制在安全范围内，避免超出器件绝对最大额定值； 5. 电池管理与充电控制：用于锂电或多节电池组的电压监测或过压告警电路，确保充电截止精度。 该器件具备良好的温度稳定性（齐纳电压温度系数约+3.5 mV/°C）、低动态阻抗（约120 Ω @ IZ = 1 mA）及AEC-Q200兼容版本（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、消费类电源及通信设备等中高可靠性场景。需注意合理设计限流电阻以确保工作电流在推荐范围（通常1–10 mA），并兼顾功耗与响应速度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 19V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ4706T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 14.4V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4706T1OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 19V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | - |
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