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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4680T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4680T1G价格参考¥0.15-¥0.15。ON SemiconductorMMSZ4680T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4680T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4680T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4680T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的典型应用场景包括: 1. 电压稳压: MMSZ4680T1G 的齐纳电压为 4.6V(±5% 精度),适用于低电压稳压电路。它能够将输入电压稳定在特定值,保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护: 在电源或信号线路中,该齐纳二极管可以用于防止过高的电压损坏敏感元件。例如,在 USB 接口或传感器电路中,它可以限制瞬态高压。 3. 参考电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,MMSZ4680T1G 可用作简单的参考电压源,配合运放等元件构建精密电路。 4. 信号箝位: 在信号处理电路中,该二极管可用于箝位信号电平,确保信号幅度在安全范围内。例如,在音频或通信电路中,它可以防止信号超出设备的工作范围。 5. ESD(静电放电)保护: 在需要抗静电能力的场景中,MMSZ4680T1G 可以快速响应并吸收静电脉冲,保护后续电路。 6. 电池管理系统: 在小型电池供电设备中,该齐纳二极管可用于监测和调节电池电压,确保设备正常运行。 7. 汽车电子: 由于其高可靠性,MMSZ4680T1G 可用于汽车电子中的电压调节或保护电路,例如车灯控制、传感器接口等。 总之,MMSZ4680T1G 凭借其小尺寸(SOD-123 封装)、低功耗和高精度的特点,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.2V 500MW SOD123稳压二极管 2.2V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4680T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ4680T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 4µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ4680T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 4 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.2V |
| 电压容差 | 3 % |
| 系列 | MMSZ4680 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | - |
| 齐纳电压 | 2.2 V |
| 齐纳电流 | 50 uA |