【未分类_MMRF1020-04GNR3】封装/厂家_MMRF1020-04GNR3中文资料_价格

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型号： MMRF1020-04GNR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMRF1020-04GNR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMRF1020-04GNR3价格参考。Freescale SemiconductorMMRF1020-04GNR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMRF1020-04GNR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMRF1020-04GNR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMRF1020-04GNR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 MOSFET（LDMOS 工艺），专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站基础设施：广泛用于 4G LTE 和 5G 宏基站的末级功率放大器（PA），支持 1.8–2.2 GHz 频段（如 Band 3、Band 7、Band 38/41），具备高增益（>18 dB）、高效率（典型 PAE >55%）和优异线性度，满足严苛的 ACLR 要求。  
✅ 无线通信中继与微波回传：适用于点对点（PtP）和点对多点（PtMP）微波链路的发射端功放模块，支持 2–2.7 GHz 频段，支持高阶调制（如 256-QAM）下的宽带信号放大。  
✅ 广播与专业无线设备：可用于 UHF 频段（如 470–698 MHz）数字电视发射机、公共安全通信系统（TETRA、P25）及航空/航海通信发射单元中的射频末级驱动或输出级。  
该器件采用气腔式 SO-8 封装（带裸焊盘），集成 ESD 保护，支持高可靠性连续波（CW）与脉冲工作模式，并兼容主流 Doherty 架构设计，便于实现高效率多载波（MC-OFDM）放大。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常搭配 NXP 的射频驱动器（如 MMIC 系列）构成完整 PA 解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF LDMOS 100W 48V OM780-4G
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMRF1020-04GNR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	OM-780G-4L
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.5dB
封装/外壳	OM-780G-4L
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	48V
电压-额定	105V
电流-测试	860mA
频率	920MHz
额定电流	-