Datasheet下载- 型号： MMIX1F40N110P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMIX1F40N110P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMIX1F40N110P价格参考。IXYSMMIX1F40N110P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMIX1F40N110P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMIX1F40N110P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的MMIX1F40N110P是一款高性能高压、高速硅基N沟道MOSFET，采用TO-247AD封装，典型参数：VDS = 1100 V，RDS(on) ≈ 40 mΩ（@ VGS = 10 V），ID = 40 A（连续），具备低开关损耗与优异雪崩耐受能力。其主要应用场景包括： - 工业电源与UPS系统：用于高频DC-DC变换器、逆变器输出级及在线式UPS的主功率开关，支持高效率、高可靠性运行； - 光伏逆变器：作为升压级（Boost）或H桥逆变级开关器件，适配1000V+直流母线电压，满足IEC 62109安全要求； - 感应加热与焊接设备：利用其快速开关（tf < 50 ns）与强抗dv/dt能力，在高频（20–100 kHz）谐振电路中实现高效能量传输； - 电机驱动与牵引辅助系统：适用于中大功率（5–20 kW级）变频驱动、电动叉车/AGV的DC-AC转换模块； - 固态继电器（SSR）与智能断路器：凭借高电压隔离与长期导通稳定性，用作高压负载控制核心开关。 该器件设计兼容标准栅极驱动（推荐VGS = +15 V / –5 V），建议配合RC缓冲电路与优化PCB布局以抑制EMI。需注意散热管理（推荐使用≥100 cm²铜箔或外接散热器），确保结温TJ ≤ 150°C。不适用于低压小功率消费电子，而是面向严苛工业与能源基础设施场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMIX1F40N110P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Polar™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 19000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 310nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 20A， 10V |
| 供应商器件封装 | SMPD |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 21-SMD 模块 |
| 标准包装 | 20 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1100V（1.1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
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