Datasheet下载- 型号： MMFT5P03HDT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMFT5P03HDT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMFT5P03HDT1价格参考。ON SemiconductorMMFT5P03HDT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMFT5P03HDT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMFT5P03HDT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMFT5P03HDT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约0.12Ω @ Vgs = –4.5V）、低阈值电压（Vgs(th)约–1.0V至–2.5V）及快速开关特性。其额定参数为：Vds = –30V，Id = –3.8A（连续），适合中低功率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括： ✅ 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关或电池保护电路，实现高效启停与反向电流阻断； ✅ DC-DC转换器：作为同步降压转换器的高边或低边开关（尤其在小功率Buck拓扑中），提升能效； ✅ LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏幕背光调光，利用PWM控制实现精准亮度调节； ✅ 接口保护与电平转换：在USB、I²C等信号路径中作上拉/电平移位开关，支持热插拔与ESD防护； ✅ 电机驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥侧开关或单向驱动，满足低功耗与快速响应需求。 其SOT-23小尺寸、高可靠性及符合AEC-Q101标准（车规级可选版本），亦可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等严苛环境中的辅助电源开关。设计时需注意栅极驱动兼容性（建议–4.5V以上驱动以确保充分导通）及PCB散热布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMFT5P03HDT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | MMFT5P03HDT1OS |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Ta） |
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