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  • 型号: MMDF1300R2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF1300R2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF1300R2价格参考。ON SemiconductorMMDF1300R2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDF1300R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDF1300R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDF1300R2 是安森美(onsemi)出品的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值约 1.3Ω @ Vgs=10V)、小尺寸、低栅极电荷和快速开关特性。其额定电压为 30V,连续漏极电流 ID 为 280mA(Tc=25°C),适用于低功耗、空间受限的便携式电子系统。

典型应用场景包括:  
✅ 电池供电设备的电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、传感器供电或负载开关,用于高效启停外围电路以降低待机功耗;  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流:在微型升压/降压模块(如为MCU或RF芯片供电的PMIC子电路)中替代肖特基二极管,提升转换效率;  
✅ 信号切换与逻辑电平转换:在IoT节点中实现GPIO控制的模拟/数字信号通断(如切换传感器通道、复位信号隔离);  
✅ 马达驱动(微型):驱动振动马达、小型蜂鸣器或微型直流风扇(需配合限流设计,因其ID能力有限);  
✅ ESD敏感电路保护开关:利用其快速关断特性,在接口端实现热插拔保护或防反接控制。

注意:该器件不适用于大电流(>500mA)、高电压(>30V)或高功率场景;设计时需确保Vgs驱动足够(建议≥4.5V以充分导通),并注意SOT-23封装的散热限制,避免持续高功耗导致结温超标。
产品参数 图文手册 常见问题
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