Datasheet下载- 型号： MMBZ5252ELT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5252ELT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5252ELT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5252ELT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5252ELT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5252ELT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5252ELT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为6.8 V（容差±5%），最大功率耗散为350 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定基准电压；适用于输入电压波动较小的局部稳压（如3.3V/5V系统中对特定模块进行6.8V钳位或偏置）。 2. 过压保护（TVS辅助）：虽非专用TVS器件，但可与限流电阻配合，用于IC电源引脚或信号线的简易过压钳位，防止瞬态电压（如ESD或开关噪声）超过后级器件耐压（如保护74系列逻辑芯片或运放输入端）。 3. 电平转换与偏置电路：在模拟前端中构建固定偏置点，例如为光电二极管跨阻放大器设定反向偏置电压；或在分立逻辑电路中实现电平移位。 4. 低成本反馈环路：在简易开关电源或LDO的反馈分压网络中，替代精密基准，满足一般精度要求（如消费类充电器、LED驱动电源）。 需注意：该器件为通用齐纳，温度系数约±2.5 mV/°C，长期稳定性及初始精度低于专用基准芯片（如TL431），不适用于高精度或高温工业场景。设计时须校核功耗（I×Vz≤350mW）并确保散热条件，推荐工作电流范围为1–20 mA。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 24V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5252ELT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 18V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 24V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 33 欧姆 |
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