Datasheet下载- 型号： MMBZ5241B-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5241B-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5241B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5241B-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5241B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5241B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5241B-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款表面贴装（SOT-23封装）单齐纳二极管，标称稳压值为12V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为350mW。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为基准电路、ADC/DAC参考源或微控制器复位电路提供稳定12V基准电压； 2. 过压保护（钳位）：并联于敏感信号线或IC供电端，吸收瞬态浪涌（如ESD、感应尖峰），将电压钳位在约12V，配合TVS或限流电阻使用； 3. 电源轨箝位与调理：用于DC-DC转换器反馈环路、LDO输入/输出端的电压限幅，防止异常高压损坏后级器件； 4. 消费电子与工业控制：广泛应用于机顶盒、智能电表、LED驱动器、PLC模块等对成本、尺寸和可靠性要求较高的嵌入式系统中； 5. 替代传统插件齐纳管：因SOT-23小尺寸、自动化贴片兼容性好，适用于高密度PCB设计。 该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性（TC ≈ +2.5 mV/°C）及AEC-Q200认证选项（部分批次），兼顾工业级与汽车后装应用需求。需注意：实际使用时应确保功耗不超过额定值（需计算I×V并留裕量），并合理布局散热路径。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 350MW SOT23-3稳压二极管 11V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5241B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5241B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 8.4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5241B-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 22 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5241B |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 22 欧姆 |
| 齐纳电压 | 11 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |
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