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- 型号： MMBZ15VALT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ15VALT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ15VALT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ15VALT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ15VALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ15VALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ15VALT3G 是安森美（onsemi）出品的双路TVS（瞬态电压抑制）二极管，采用SOT-23封装，标称击穿电压约15V（典型值），双向结构，峰值脉冲功率600W（10/1000μs波形），主要用于低电压、高可靠性电路的静电放电（ESD）和瞬态过压防护。 典型应用场景包括： - 接口端口保护：如USB 2.0/3.0、HDMI、LVDS、I²C、SPI等高速或敏感数字接口，防止插拔静电及雷击感应浪涌； - 电源输入端防护：在3.3V/5V/12V供电线路中，配合保险丝或限流电阻，抑制开关噪声、负载突变引起的电压尖峰； - 汽车电子模块：符合AEC-Q200标准，适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器接口、CAN/LIN总线终端等严苛环境； - 工业控制与IoT设备：保护MCU GPIO、ADC输入、通信模块（如Wi-Fi/BLE模组）免受ESD（±15kV接触放电）及EFT（电快速瞬变）干扰； - 消费类电子：智能手机、平板、机顶盒等内部板级防护，尤其适用于空间受限的紧凑型设计（SOT-23尺寸仅3×1.75×1.3mm）。 其双向对称特性适合交流信号线或无极性供电路径，低钳位电压（约24.4V@1A）确保后级IC（如USB PHY、SoC）安全。需注意PCB布局应短而宽走线、就近接地，以发挥最佳防护效果。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 21VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ15VALT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 14.25V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 21V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.9A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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