【未分类_MMBV2101LT1G】封装/厂家_MMBV2101LT1G中文资料_价格

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型号： MMBV2101LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2101LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2101LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV2101LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBV2101LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2101LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBV2101LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低电容、高Q值和优良的电容调谐线性度（C-V特性）。其典型结电容范围约为2.5–15 pF（在反偏电压1–20 V范围内），适用于高频、小信号调谐场景。

主要应用场景包括：  
✅ 高频调谐电路：广泛用于VHF/UHF频段（如100 MHz–1 GHz）的压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）频率合成器中，实现频率精准调节；  
✅ 射频前端模块：在手机、无线通信设备（如Wi-Fi 5/6、蓝牙、Zigbee模组）中用于天线调谐、阻抗匹配网络动态校准，提升接收灵敏度与发射效率；  
✅ 滤波器与调谐放大器：配合LC谐振回路，构成可调带通/带阻滤波器或自动调谐射频放大器，适应多频段或多制式需求；  
✅ 电子调谐选台：应用于便携式收音机、TV调谐器等消费电子中替代机械可变电容，实现小型化与高可靠性；  
✅ 测试与测量设备：在频谱分析仪、信号发生器等仪器中用于快速、稳定的频率校准与扫频控制。

该器件具备低串联电阻（Rs）、高反向击穿电压（≥30 V）及良好温度稳定性，适合低功耗、高集成度设计。需注意：仅工作于反向偏置状态，不可正向导通；设计时应配合稳定偏置电路与去耦措施，以抑制噪声并保障调谐精度。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE TUNING SS 30V SOT23
产品分类	可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBV2101LT1G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Vr、F时的Q值	450 @ 4V，50MHz
不同 Vr、F时的电容	7.5pF @ 4V，1MHz
二极管类型	单一
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBV2101LT1GOS
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
电压-峰值反向（最大值）	30V
电容比	3.2
电容比条件	C2/C30