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MMBT489LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT489LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT489LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT489LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 1A 100MHz 710mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT489LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT489LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT489LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型单晶体管。它广泛应用于各种电子电路中,以下是一些常见的应用场景:
1. 开关应用
- MMBT489LT1G 可用作电子开关,在数字电路中控制其他设备的通断状态。例如:
- 控制 LED 的亮灭。
- 驱动继电器或小型电磁阀。
- 在电源管理中实现负载切换。
2. 信号放大
- 该晶体管具有良好的增益特性,适用于音频和射频信号的放大。例如:
- 放大麦克风输入的微弱信号。
- 在音响系统中作为前置放大器的一部分。
3. 电机驱动
- 用于低功率直流电机的驱动或速度控制。通过调整基极电流,可以改变电机的转速。
4. 电平转换
- 在不同电压逻辑电平之间进行转换。例如,将 3.3V 信号转换为 5V 信号,以便与不同的设备通信。
5. 传感器接口
- 在传感器电路中,用于增强信号或驱动外部负载。例如:
- 接收温度传感器的输出信号并放大。
- 驱动报警装置(如蜂鸣器或指示灯)。
6. 脉宽调制 (PWM) 应用
- 在 PWM 控制电路中,用于调节亮度、速度或其他参数。例如:
- 调节 LED 的亮度。
- 控制风扇的转速。
7. 保护电路
- 用作过流保护或短路检测电路中的关键元件。例如:
- 监测电路中的电流是否超过安全范围。
- 在异常情况下切断负载供电。
总结
MMBT489LT1G 的典型应用场景包括但不限于开关控制、信号放大、电机驱动、电平转换、传感器接口和 PWM 控制等。由于其低成本、高可靠性和易于使用的特点,这款晶体管在消费电子、工业控制和汽车电子等领域得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS GP SS NPN GP 30V 1A SOT23两极晶体管 - BJT 1A 50V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT489LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT489LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 500mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBT489LT1GOS |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 310 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | MMBT489 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.2 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |