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  • 型号: MMBT489LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBT489LT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT489LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT489LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT489LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 1A 100MHz 710mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT489LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT489LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT489LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型单晶体管。它广泛应用于各种电子电路中,以下是一些常见的应用场景:

 1. 开关应用
   - MMBT489LT1G 可用作电子开关,在数字电路中控制其他设备的通断状态。例如:
     - 控制 LED 的亮灭。
     - 驱动继电器或小型电磁阀。
     - 在电源管理中实现负载切换。

 2. 信号放大
   - 该晶体管具有良好的增益特性,适用于音频和射频信号的放大。例如:
     - 放大麦克风输入的微弱信号。
     - 在音响系统中作为前置放大器的一部分。

 3. 电机驱动
   - 用于低功率直流电机的驱动或速度控制。通过调整基极电流,可以改变电机的转速。

 4. 电平转换
   - 在不同电压逻辑电平之间进行转换。例如,将 3.3V 信号转换为 5V 信号,以便与不同的设备通信。

 5. 传感器接口
   - 在传感器电路中,用于增强信号或驱动外部负载。例如:
     - 接收温度传感器的输出信号并放大。
     - 驱动报警装置(如蜂鸣器或指示灯)。

 6. 脉宽调制 (PWM) 应用
   - 在 PWM 控制电路中,用于调节亮度、速度或其他参数。例如:
     - 调节 LED 的亮度。
     - 控制风扇的转速。

 7. 保护电路
   - 用作过流保护或短路检测电路中的关键元件。例如:
     - 监测电路中的电流是否超过安全范围。
     - 在异常情况下切断负载供电。

 总结
MMBT489LT1G 的典型应用场景包括但不限于开关控制、信号放大、电机驱动、电平转换、传感器接口和 PWM 控制等。由于其低成本、高可靠性和易于使用的特点,这款晶体管在消费电子、工业控制和汽车电子等领域得到了广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS GP SS NPN GP 30V 1A SOT23两极晶体管 - BJT 1A 50V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT489LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBT489LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 100mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 500mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT489LT1GOS
MMBT489LT1GOS-ND
MMBT489LT1GOSTR

功率-最大值

710mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

310 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

300

系列

MMBT489

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.2 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

100MHz

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