Datasheet下载- 型号： MJE2955TG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE2955TG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE2955TG价格参考。ON SemiconductorMJE2955TG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE2955TG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE2955TG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE2955TG是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极性晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于线性稳压器或DC-DC转换器中，作为功率开关或电流调节元件。 2. 音频放大器：在音频功率放大电路中作为输出级晶体管，提供较高的电流增益和稳定性。 3. 马达驱动：用于小型电机的开关控制，如在电动工具、风扇或机器人控制系统中。 4. 工业控制：在工业自动化设备中作为继电器驱动器或高电流负载开关。 5. 电池充电器：用于调节充电电流或作为功率调整元件。 该晶体管具有良好的热稳定性和较高电流承载能力（最大集电极电流约10A），适合中等功率应用。此外，其TO-220封装便于散热，提高了在高功耗环境下的可靠性。由于其性价比高、驱动简单，MJE2955TG广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 10A 60V TO220AB两极晶体管 - BJT 10A 60V 125W PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE2955TG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE2955TG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 8V @ 3.3A，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 4A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE2955TGOS |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 700µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | MJE2955T |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 70 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.1 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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