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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BDX33BG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BDX33BG价格参考。ON SemiconductorBDX33BG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BDX33BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BDX33BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BDX33BG是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),具有较高的电流和功率处理能力。该晶体管常用于需要高电流放大和功率控制的场合。 BDX33BG的主要应用场景包括: 1. 电源管理与稳压电路:该晶体管可用于线性稳压器或开关电源中,作为功率调整元件,适用于需要较高输出电流的电源系统。 2. 电机驱动与继电器控制:由于BDX33BG具备较高的集电极电流(最高可达10A)和良好的耐压性能(VCBO为100V),它适合用于驱动直流电机、电磁继电器等感性负载。 3. 工业控制系统:在工业自动化设备中,该晶体管可作为开关元件用于控制加热元件、指示灯、风扇等外围设备。 4. 音频放大器:BDX33BG也可用于音频功率放大电路中,特别是在低频放大应用中表现良好,适用于音响设备或公共广播系统中的输出级。 5. 汽车电子系统:因其具备较高的可靠性和耐环境能力,该器件也常用于汽车电子系统中,如车灯控制、电动泵驱动等。 综上,BDX33BG适用于需要中高功率开关和电流放大的多种电子系统,广泛应用于工业、汽车和电源控制领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DARL NPN 80V 10A TO-220AB达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor BDX33BG- |
数据手册 | |
产品型号 | BDX33BG |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 2.5V @ 6mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 3A,3V |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | BDX33BG-ND |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 10 A |
最大集电极截止电流 | 1000 uA |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
电流-集电极截止(最大值) | 500µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 750 |
系列 | BDX33B |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
频率-跃迁 | - |