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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBTA56,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBTA56,215价格参考¥0.10-¥0.10。NXP SemiconductorsPMBTA56,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBTA56,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBTA56,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBTA56,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有高电流增益(hFE 通常为 100–400 @ IC = 10 mA)、最大集电极电流 IC = 500 mA、最大集射极电压 VCEO = 80 V,适用于中低功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括: 1. 中小功率开关电路:如电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/蜂鸣器驱动等,利用其快速开关特性(fT ≈ 100 MHz)实现高效通断; 2. 信号放大与电平转换:在微控制器(如 ARM、PIC、ESP 系列)I/O 口扩展中,用作数字信号缓冲、逻辑电平适配(如 3.3 V ↔ 5 V)或小信号前置放大; 3. 消费电子与工业控制板:广泛用于打印机、机顶盒、家电主控板、传感器接口电路等空间受限的嵌入式系统,得益于其小型化 SOT-23 封装和良好热稳定性; 4. 替代传统通用品:可直接替换 BC556(PNP)、BC546/BC547(NPN)等老型号,兼容成熟设计,降低 BOM 成本。 注意:该器件非功率级器件,不适用于大电流(>500 mA)或高压(>80 V)主电源开关。实际应用中建议留有足够裕量,并注意 PCB 散热与基极限流电阻设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP GP 500MA 80V SOT23两极晶体管 - BJT PNP GP 500MA 80V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBTA56,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBTA56,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1747-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 100 mA at 1 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 零件号别名 | PMBTA56 T/R |
| 频率-跃迁 | 50MHz |