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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4540Z,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4540Z,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4540Z,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 5A 130MHz 2W 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBSS4540Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4540Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PBSS4540Z,115 是一款高性能的NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于各类电子设备中。该器件具有高电流增益、低饱和电压和优良的开关特性,适合在中等功率条件下高效工作。 其主要应用场景包括:电源管理电路中的开关与线性调节、LED驱动电路、电机控制模块以及各类消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、电视和机顶盒)中的信号放大与切换功能。由于其最大集电极电流可达6A,且具备良好的热稳定性,PBSS4540Z,115也常用于工业控制、汽车电子系统(如车身照明、风扇控制和继电器驱动)等对可靠性要求较高的领域。 此外,该晶体管采用SOT223封装,散热性能良好,适用于需要紧凑布局和高效散热的设计。其高可靠性和小尺寸使其成为现代高密度PCB设计的理想选择。总体而言,PBSS4540Z,115是一款适用于电源开关、功率放大和驱动控制等多种场景的通用型大功率晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 40V 5A SOT223两极晶体管 - BJT NPN 40V 5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4540Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4540Z,115 |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 355mV @ 500mA,5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 2A,2V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=9367 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-4162-1 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SC-73 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 500 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 500 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 250 at 2 A at 2 V, 100 at 5 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 零件号别名 | PBSS4540Z T/R |
| 频率-跃迁 | 130MHz |