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MJE5731AG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5731AG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5731AG价格参考。ON SemiconductorMJE5731AG封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 375V 1A 10MHz 40W 通孔 TO-220AB。您可以下载MJE5731AG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJE5731AG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE5731AG是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于中功率放大和开关应用。其应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于稳压电源、DC-DC转换器中的开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中作为功率开关使用,适用于工业自动化和家电控制。 3. 音频放大:用于音频功率放大器的输出级,提供足够的电流驱动扬声器。 4. 汽车电子:在汽车电子系统中用于灯光控制、风扇电机驱动等场景,具有较好的温度稳定性和可靠性。 5. 工业控制:用于PLC、传感器驱动、继电器控制等工业自动化设备中。 该晶体管具有较高的电流放大系数和良好的热稳定性,适合中高功率的开关与放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PWR PNP 1A 375V TO220AB两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 375V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJE5731AG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE5731AG |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE5731AGOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 10 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 40000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 375V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 系列 | MJE5731A |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 375 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 350 V |
| 频率-跃迁 | 10MHz |