Datasheet下载- 型号： CPH3115-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3115-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3115-TL-E价格参考。ON SemiconductorCPH3115-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CPH3115-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH3115-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3115-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23小信号封装，适用于低电压、低电流的开关与放大应用。该器件具有高增益、低饱和压降和快速开关特性，适合在便携式电子设备和空间受限的应用中使用。 典型应用场景包括：手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源管理与信号切换；LED驱动电路中的开关控制；各类小型电机或继电器的驱动电路；以及音频和射频信号的小信号放大。此外，由于其良好的热稳定性和可靠性，也广泛用于工业控制、传感器接口电路和DC-DC转换器中的基准开关元件。 CPH3115-TL-E还具备较高的直流电流增益（hFE）和较低的导通电阻，有助于提升系统能效，特别适合电池供电设备以延长续航时间。其无铅、符合RoHS标准的设计也满足现代绿色电子产品的要求。总之，该型号晶体管是一款性能稳定、性价比高的通用型小信号BJT，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 1.5A 30V CPH3两极晶体管 - BJT BIP PNP 1.5A 30V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor CPH3115-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CPH3115-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 375mV @ 15mA，750mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-CPH |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 450 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-96 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.9 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 系列 | CPH3115/CPH3215 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.25 V |
| 集电极连续电流 | - 1.5 A |
| 频率-跃迁 | 450MHz |
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