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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD5731T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD5731T4G价格参考。ON SemiconductorMJD5731T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD5731T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD5731T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD5731T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管。它常用于需要较高电流和功率处理能力的电路中。 该晶体管的典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:MJD5731T4G具有较高的集电极电流和功率耗散能力,适合用于DC-DC转换器、电源开关控制等场合。 2. 电机驱动电路:在小型电机或继电器的驱动电路中,作为开关元件使用,能够承受较大的负载电流。 3. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业自动化设备中的功率控制部分。 4. 音频放大器:用于音频功率放大电路中,作为输出级的驱动或放大元件。 5. 汽车电子系统:例如车灯控制、电动窗、风扇等车载电器的开关控制。 该晶体管采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和安装,适合表面贴装工艺,广泛应用于中等功率的电子设备中。其高可靠性和良好的热稳定性使其在工业和汽车领域具有较高的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS POWER PNP 1A 350V DPAK两极晶体管 - BJT 1A 350V 15W PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD5731T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD5731T4G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 200mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 300mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | MJD5731T4GOSDKR |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 10 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 15 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 350V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
系列 | MJD5731 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 350 V |
集电极—基极电压VCBO | 5 V |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 1 A |
频率-跃迁 | 10MHz |