ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MJD45H11TF
Datasheet下载- 型号： MJD45H11TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
MJD45H11TF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD45H11TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD45H11TF价格参考￥2.19-￥2.19。Fairchild SemiconductorMJD45H11TF封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 8A 40MHz 1.75W 表面贴装 TO-252-3。您可以下载MJD45H11TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD45H11TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD45H11TF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种NPN型晶体管，广泛应用于功率放大和开关电路中。以下是其主要应用场景： 1. 功率放大器：MJD45H11TF 可用于音频功率放大器设计，能够处理较高的电流和电压，适合驱动扬声器等负载。 2. 开关电路：由于其高电流承载能力（集电极电流可达15A），该晶体管适用于各种开关应用，例如继电器驱动、电机控制和LED驱动。 3. 电源管理：在直流-直流转换器或线性稳压器中，MJD45H11TF 可用作开关元件或电流调节器，帮助实现高效的电源管理。 4. 电机控制：在小型电机驱动电路中，该晶体管可以用来控制电机的启动、停止和速度调节。 5. 负载切换：用于需要频繁切换大负载的应用场景，如汽车电子中的灯光控制或座椅调节系统。 6. 保护电路：作为过流保护或短路保护的一部分，MJD45H11TF 能够快速响应并切断异常电流路径。 这款晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压（VCEO = 80V）和低饱和电压，因此非常适合要求高效能和稳定性的工业及消费类电子产品。此外，其TO-220封装形式便于散热设计，进一步扩展了其在高功率环境中的应用范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 80V 8A DPAK两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MJD45H11TF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD45H11TF |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | MJD45H11TFCT |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
| 系列 | MJD45H11 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 5 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1 V |
| 集电极连续电流 | - 8 A |
| 零件号别名 | MJD45H11TF_NL |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
