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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC856AW,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856AW,135价格参考。NXP SemiconductorsBC856AW,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC856AW,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC856AW,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BC856AW,135 的晶体管由 Nexperia USA Inc. 生产,属于 双极型晶体管(BJT)- 单晶体管 类别,是一款常用的通用型 NPN 晶体管,适用于多种电子电路设计。 该晶体管主要应用于以下场景: 1. 信号放大电路:BC856AW,135 常用于音频信号、模拟信号的前置放大,适合低频和中频放大场合,广泛用于消费类电子产品中。 2. 开关电路:由于其良好的开关特性,该晶体管可用于数字电路中的开关控制,例如驱动 LED、继电器、小型电机等负载。 3. 电源管理:在电源管理电路中,该晶体管可用于稳压电路或作为电流控制元件。 4. 嵌入式系统和工业控制:该器件适用于工业自动化设备、传感器接口电路、微控制器外围电路等,提供可靠的信号处理与控制功能。 5. 通信设备:在通信模块中,作为信号处理和放大元件,适用于低噪声、中等频率的应用场景。 该晶体管采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计,具备良好的稳定性和性价比,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC856AW,135- |
数据手册 | |
产品型号 | BC856AW,135 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
产品种类 | Transistors - Arrays |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | 934021810135 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323 |
工厂包装数量 | 10000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 65V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 125 at 2 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 125 at 2 mA at 5 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
零件号别名 | /T3 BC856AW |
频率-跃迁 | 100MHz |