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产品简介:
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PBSS8110Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT457(SC-74)小型表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值 300@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 150mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及 100V 集电极-发射极击穿电压(VCEO)等特性。其典型应用场景包括: 1. 中功率开关应用:如电源管理中的负载开关、LED 驱动电路、继电器/电磁阀驱动,适用于需低驱动电流与快速响应的场合; 2. 信号放大与电平转换:在消费电子、工业控制板中用于小信号放大、逻辑电平适配(如 MCU GPIO 扩展驱动能力); 3. 电池供电设备:得益于低饱和压降和较小静态功耗,常用于便携式设备(如无线传感器节点、遥控器、IoT终端)中的高效开关电路; 4. 汽车电子辅助模块:满足 AEC-Q101 认证(该型号为车规级版本),可用于车身控制单元(BCM)中的灯光控制、风扇驱动、雨刮电机控制等非安全关键子系统。 其紧凑封装和高可靠性使其特别适合空间受限、需兼顾性能与成本的中低频(fT ≈ 120MHz)开关与放大场景,不适用于高频射频或大功率线性放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS8110Y,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 150 @ 250mA,10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7327-1 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |