Datasheet下载- 型号： NSS30201MR6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS30201MR6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS30201MR6T1G价格参考。ON SemiconductorNSS30201MR6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS30201MR6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS30201MR6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的型号NSS30201MR6T1G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于小信号晶体管类别。该器件采用SOT-457封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、小尺寸的电子应用。 其主要应用场景包括：便携式消费类电子产品中的信号放大与开关控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与LED驱动电路；在电源管理系统中用于负载开关或电平转换；广泛应用于各类小型电子设备中的逻辑驱动与信号切换功能；还可用于传感器接口电路中，实现微弱信号的放大与处理。 由于其具备良好的热稳定性和可靠性，并通过AEC-Q101车规认证，NSS30201MR6T1G也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和LED照明驱动等对可靠性和工作温度范围要求较高的环境。 此外，该器件低漏电流和高增益特性使其在电池供电设备中表现出优异的节能性能，适合对功耗敏感的应用场景。综合来看，NSS30201MR6T1G是一款高性能、高可靠的小信号BJT，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 2A 30V TSOP-6两极晶体管 - BJT 2A 30V Low VCEsat |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS30201MR6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS30201MR6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 75mV @ 1mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 500mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | NSS30201MR6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 535mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 535 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | NSS30201MR6T1G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.06 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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